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电路图是指用电路元件符号表示电路连接的图。电路图是人们为研究、工程规划的需要,用物理电学标准化的符号绘制的一种表示各元器件组成及器件关系的原理布局图。电源电路的功能和组成,每个电子设备都有一个供给能量的电源电路。电源电路有整流电源、逆变电源和...
www.kiaic.com/article/detail/1620.html 2019-05-06
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MOS管KNX3508A 70A/80V主要参数:产品型号:KIA3508工作方式:70A/80V漏源电压:80V栅源电压:±25V漏电流连续:70A脉冲漏极电流:240A雪崩电流:70A漏源击穿电压:80V栅极阈值电压:2.0V输入电容:2900 PF输出电容:290 PF上升时间:11 ns
www.kiaic.com/article/detail/1619.html 2019-05-06
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深圳市华之美半导体有限公司(H&M Semiconductor)是国内电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。华之美半导体自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了电源管理IC(锂电充电IC/锂电保护...
www.kiaic.com/article/detail/1616.html 2019-04-30
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MOS管驱动电路,跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电...
www.kiaic.com/article/detail/1615.html 2019-04-30
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MOS管KNX1906B 230A/60V主要参数:型号:KNX1906B工作方式:230A/60V漏源电压:60V栅源电压:±25V最高结温:175oC脉冲漏极电流:880A雪崩电流:40A雪崩能量:800mJ漏源击穿电压:60V输入电容:6110pF输出电容:1020pF反向转移电容:771pF
www.kiaic.com/article/detail/1614.html 2019-04-30
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Cool-MOS原理与Cool-MOS优势与问题,对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。但是对...
www.kiaic.com/article/detail/1613.html 2019-04-29
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MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,了解一下KIA半导体公司,?深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,文...
www.kiaic.com/article/detail/1611.html 2019-04-29
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MOS管KIA2300可替代SI2300,KIA半导体主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。文中...
www.kiaic.com/article/detail/1610.html 2019-04-28
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MOS管 3406/KNX3406A 80A/60V主要参数:型号:KNX3406A工作方式:80A/60V漏源电压:60V栅源电压:±25 V脉冲漏电流:280A雪崩电流:20A雪崩能源:225mJ漏源击穿电压:60V二极管连续正向电流:80A输入电容:6050pF输出电容:170pF反向转移电容:100pF
www.kiaic.com/article/detail/1609.html 2019-04-28
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本文主要是解析如何把开关电源设计达到线性电源水平。这里先介绍一下开关电源基本知识,又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的...
www.kiaic.com/article/detail/1608.html 2019-04-28
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KIA半导体MOS管KNX9130A替代FQA40N25,KIA MOS管KNX9130A相比FQA40N25在价格上有很大优势。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体从设计研发到制...
www.kiaic.com/article/detail/1602.html 2019-04-26
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MOS管的现状与挑战,mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端...
www.kiaic.com/article/detail/1607.html 2019-04-26
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功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率MOS管保护电路设计,...
www.kiaic.com/article/detail/1606.html 2019-04-26
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KIA半导体MOS管 KNX2404A替代IRF1404PBF,本文有详细的KNX2404A和IRF1404PBF两个型号的封装、参数及附有规格书。
www.kiaic.com/article/detail/1605.html 2019-04-26